三星成為首家量產 10nm 級別 DRAM 的廠商
就在不久前三星宣布，旗下的 10nm 級 8Gb DDR4 DRAM 芯片已經正式進入了大規模量產的階段。按照官方說法，在年內會有多級容量的模塊推出，從為筆記本準備的 4GB 到為企業服務器準備的 128GB 產品不等。除此之外三星還承諾，「在不久的將來」為移動設備而設的 10nm 級 DRAM 便會問世。
實際上，將 DRAM 縮到 10nm 這樣的尺寸并非易事，因為要給晶體管搭配對應的電容器，就意味著所有零件都必須做得更小。再加上三星的做法是「在大量納米寬的晶體管上堆疊極窄的圓柱形電容器」，難度無疑就更加大了。為此廠方特意改進了初見于 NAND 內存上的四重成型技術（quadruple patterning），而最終的成品，和上代 20nm RAM 相比，速度快了 30%，同時功耗也有了 20% 的降幅。
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